Ученые из России обнаружили, что созданный ими широкозонный полупроводник на базе одной из форм оксида галлия обладает уникальной формой проводимости, в которой ключевую роль играют «дырки» — положительно заряженные области. Это открытие расширит применение оксида галлия в силовой электронике, сообщила в среду пресс-служба НИТУ МИСИС.
Открытка с Днём Победысегодня, в 09:00
Команда Университета МИСИС
Прочнее защита: учёные улучшили покрытия для деталей в энергетике и электронике
Заведующая лабораторией тканевой инженерии и регенеративной медицины НИТУ МИСИС Елизавета Кудан за работой